产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 15V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),80A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC050N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC050N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC050N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC050N03LSGINCT
BSC050N03LSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ050N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ050N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ050N03LSGINCT
BSZ050N03LSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),98A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC883N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC883N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC883N03LS GCT
BSC883N03LS GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0901NS
仓库库存编号:
BSC0901NSCT-ND
别名:BSC0901NSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta). 40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ019N03LS
仓库库存编号:
BSZ019N03LSCT-ND
别名:BSZ019N03LSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD06N03LB G
仓库库存编号:
IPD06N03LBGINCT-ND
别名:IPD06N03LBG
IPD06N03LBGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 15V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 3.13W(Ta) 8-SO
型号:
FDS7064SN3
仓库库存编号:
FDS7064SN3CT-ND
别名:FDS7064SN3_NLCT
FDS7064SN3_NLCT-ND
FDS7064SN3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 15V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS7764S
仓库库存编号:
FDS7764S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSH6N03LB G
仓库库存编号:
IPSH6N03LB G-ND
别名:IPSH6N03LBGX
SP000220143
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 15V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU06N03LB G
仓库库存编号:
IPU06N03LB G-ND
别名:IPU06N03LBGX
SP000209113
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 15V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPUH6N03LB G
仓库库存编号:
IPUH6N03LB G-ND
别名:IPUH6N03LBGX
SP000209114
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 15V,
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