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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC110N06NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC110N06NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC110N06NS3 GCT
  BSC110N06NS3 GCT-ND
  BSC110N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC028N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC028N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC028N06NS
  BSC028N06NS-ND
  BSC028N06NSATMA1CT
  BSC028N06NSCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ110N06NS3 G
  仓库库存编号：BSZ110N06NS3GINCT-ND
  别名：BSZ110N06NS3GINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta），80A（Tc） 3W（Ta），107W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP040N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPP040N06NAKSA1-ND
  别名：IPP040N06N
  IPP040N06N-ND
  SP000959820
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 78A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB110N06L G
  仓库库存编号：IPB110N06LGINCT-ND
  别名：IPB110N06LG
  IPB110N06LGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 30V,
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