产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(23)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(23)
筛选品牌
Fairchild/ON Semiconductor (11)
ON Semiconductor (12)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.5A(Tc) 3.13W(Ta),120W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB12P20TM
仓库库存编号:
FQB12P20TMCT-ND
别名:FQB12P20TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 142W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP16N25
仓库库存编号:
FQP16N25FS-ND
别名:FQP16N25-ND
FQP16N25FS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta) 1.36W(Ta),62.5W(Tj) DPAK
型号:
NTD24N06T4G
仓库库存编号:
NTD24N06T4GOSCT-ND
别名:NTD24N06T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 11.5A(Tc) 120W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP12P20
仓库库存编号:
FQP12P20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 55W(Tc) DPAK
型号:
NVD5414NT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD5414NT4G-VF01-ND
别名:NVD5414NT4G
NVD5414NT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 6A(Tc) 1.25W(Ta),20W(Tc) DPAK
型号:
MTD6N15T4
仓库库存编号:
MTD6N15T4OSCT-ND
别名:MTD6N15T4OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) D2PAK
型号:
NTB30N06T4
仓库库存编号:
NTB30N06T4OS-ND
别名:NTB30N06T4OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP30N06
仓库库存编号:
NTP30N06OS-ND
别名:NTP30N06OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 24A(Ta) 1.36W(Ta),62.5W(Tj) I-Pak
型号:
NTD24N06-001
仓库库存编号:
NTD24N06-001OS-ND
别名:NTD24N06-001OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 200V 7.3A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12P20
仓库库存编号:
FQPF12P20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 200V 7.3A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12P20XDTU
仓库库存编号:
FQPF12P20XDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 9.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 9.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF16N25
仓库库存编号:
FQPF16N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 16A(Tc) 3.13W(Ta),142W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB16N25TM
仓库库存编号:
FQB16N25TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 8.6A TO-3PF
详细描述:通孔 P 沟道 200V 8.6A(Tc) 70W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF12P20
仓库库存编号:
FQAF12P20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 12.6A TO-3P
详细描述:通孔 P 沟道 200V 12.6A(Tc) 150W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA12P20
仓库库存编号:
FQA12P20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 12.4A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 250V 12.4A(Tc) 85W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF16N25
仓库库存编号:
FQAF16N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) D2PAK
型号:
NTB30N06G
仓库库存编号:
NTB30N06G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) D2PAK
型号:
NTB30N06T4G
仓库库存编号:
NTB30N06T4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 24A(Ta) 1.36W(Ta),62.5W(Tj) I-Pak
型号:
NTD24N06-1G
仓库库存编号:
NTD24N06-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 200V 7.3A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12P20YDTU
仓库库存编号:
FQPF12P20YDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 6A(Tc) 1.25W(Ta),20W(Tc) DPAK-3
型号:
MTD6N15T4G
仓库库存编号:
MTD6N15T4GOSCT-ND
别名:MTD6N15T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 24A(Ta) 55W(Tc) DPAK
型号:
NTD5414NT4G
仓库库存编号:
NTD5414NT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 6A(Tc) 1.25W(Ta),20W(Tc) DPAK-3
型号:
MTD6N15T4GV
仓库库存编号:
MTD6N15T4GV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号