产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3410TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3410PBFCT-ND
别名:*IRLR3410TRPBF
IRLR3410PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 79W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRLU3410PBF
仓库库存编号:
IRLU3410PBF-ND
别名:*IRLU3410PBF
64-4160PBF
64-4160PBF-ND
SP001574164
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF630PBF
仓库库存编号:
IRF630PBF-ND
别名:*IRF630PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI530NPBF
仓库库存编号:
IRLI530NPBF-ND
别名:*IRLI530NPBF
SP001573830
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A60DSTA4QM-ND
别名:TK6A60DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) D2PAK
型号:
IRL530NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL530NSTRLPBFCT-ND
别名:IRL530NSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 79W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL530NPBF
仓库库存编号:
IRL530NPBF-ND
别名:*IRL530NPBF
64-0095PBF
64-0095PBF-ND
SP001578734
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
STD35NF3LLT4
仓库库存编号:
497-2475-1-ND
别名:497-2475-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
STS9NF3LL
仓库库存编号:
497-8196-1-ND
别名:497-8196-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 27A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ416EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ416EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ416EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.4A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FQD12P10TM_F085
仓库库存编号:
FQD12P10TM_F085CT-ND
别名:FQD12P10TM_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),36A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD26AN06A0_F085
仓库库存编号:
FDD26AN06A0_F085CT-ND
别名:FDD26AN06A0_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 90W(Tc) D2PAK
型号:
STB19NF20
仓库库存编号:
497-7941-1-ND
别名:497-7941-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRLR3410TRL
仓库库存编号:
AUIRLR3410TRLCT-ND
别名:AUIRLR3410TRLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF19NF20
仓库库存编号:
497-7472-5-ND
别名:497-7472-5
STF19NF20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-263
型号:
IXTA8N65X2
仓库库存编号:
IXTA8N65X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.9A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI630GPBF
仓库库存编号:
IRFI630GPBF-ND
别名:*IRFI630GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-252
型号:
IXTY8N65X2
仓库库存编号:
IXTY8N65X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) TO-220
型号:
IXTP8N65X2M
仓库库存编号:
IXTP8N65X2M-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 11.5A(Tc) 75W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP12P10
仓库库存编号:
FQP12P10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630STRLPBF
仓库库存编号:
IRF630STRLPBFCT-ND
别名:IRF630STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
IXTP8N65X2
仓库库存编号:
IXTP8N65X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
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STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 1.6W Surface Mount 8-SO
型号:
STS8DNF3LL
仓库库存编号:
497-2470-2-ND
别名:497-2470-2
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 45A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP45NF3LL
仓库库存编号:
STP45NF3LL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP19NF20
仓库库存编号:
497-7514-5-ND
别名:497-7514-5
STP19NF20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V,
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