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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 90W（Tc） DPAK
  
  型号：STD19NF20
  仓库库存编号：STD19NF20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK8A50D(STA4QM)
  TK8A50DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A65D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK5A65D(STA4QM)-ND
  别名：TK5A65D(STA4QM)
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 9A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK9A45D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK9A45D(STA4QM)-ND
  别名：TK9A45D(STA4QM)
  TK9A45DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 7.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A55DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A55DA(STA4QM)-ND
  别名：TK8A55DA(STA4QM)
  TK8A55DASTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP20NE06L
  仓库库存编号：497-2764-5-ND
  别名：497-2764-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.5W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：STC6NF30V
  仓库库存编号：497-3152-1-ND
  别名：497-3152-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 22A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 22A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD22NM20NT4
  仓库库存编号：497-4653-1-ND
  别名：497-4653-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 20A PWRFLAT6X5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 20A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（6x5）
  
  型号：STL20NM20N
  仓库库存编号：497-4657-1-ND
  别名：497-4657-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：IRF630S
  仓库库存编号：IRF630S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.9A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI630G
  仓库库存编号：IRFI630G-ND
  别名：*IRFI630G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF630L
  仓库库存编号：IRF630L-ND
  别名：*IRF630L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：IRF630STRL
  仓库库存编号：IRF630STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：IRF630STRR
  仓库库存编号：IRF630STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 74W（Tc） TO-220-5
  
  型号：IRC630PBF
  仓库库存编号：IRC630PBF-ND
  别名：*IRC630PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 36A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7A（Ta），36A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD26AN06A0
  仓库库存编号：FDD26AN06A0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 8.2A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 8.2A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF12P10
  仓库库存编号：FQPF12P10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 9.4A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FQD12P10TF
  仓库库存编号：FQD12P10TF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 9.4A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FQD12P10TM
  仓库库存编号：FQD12P10TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 11.5A（Tc） 3.75W（Ta），75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB12P10TM
  仓库库存编号：FQB12P10TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 14A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 85W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUFA75823D3S
  仓库库存编号：HUFA75823D3S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 14A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 85W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUFA75823D3ST
  仓库库存编号：HUFA75823D3ST-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
  
  型号：94-2310
  仓库库存编号：94-2310-ND
  别名：*IRL530NS
  IRL530NS
  IRL530NS-ND
  SP001519078
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 12A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI530N
  仓库库存编号：IRLI530N-ND
  别名：*IRLI530N
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL530NL
  仓库库存编号：IRL530NL-ND
  别名：*IRL530NL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V,
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