产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 1.36W(Ta),60W(Tj) DPAK
型号:
NTD20N06LT4G
仓库库存编号:
NTD20N06LT4GOSCT-ND
别名:NTD20N06LT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7451TRPBF
仓库库存编号:
IRF7451PBFCT-ND
别名:*IRF7451TRPBF
IRF7451PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 40V 29A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 32W(Tc) TO-252
型号:
DKI04103
仓库库存编号:
DKI04103CT-ND
别名:DKI04103CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 40V 9A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 3.1W(Ta),40W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
GKI04101
仓库库存编号:
GKI04101CT-ND
别名:GKI04101CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 1.36W(Ta),60W(Tj) DPAK-3
型号:
NTDV20N06LT4G-VF01
仓库库存编号:
NTDV20N06LT4G-VF01-ND
别名:NTDV20N06LT4G
NTDV20N06LT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N10S436AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N10S436AATMA1-ND
别名:SP001102930
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 40A(Tc) 60W(Tc) D-Pak
型号:
STD55NH2LLT4
仓库库存编号:
497-4104-1-ND
别名:497-4104-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 24V 40A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
STP60NH2LL
仓库库存编号:
STP60NH2LL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) D2PAK
型号:
NTB27N06LT4
仓库库存编号:
NTB27N06LT4OS-ND
别名:NTB27N06LT4OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Ta) 1.36W(Ta),60W(Tj) DPAK-3
型号:
NTD20N06LT4
仓库库存编号:
NTD20N06LT4OS-ND
别名:NTD20N06LT4OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP27N06L
仓库库存编号:
NTP27N06LOS-ND
别名:NTP27N06LOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Ta) 1.36W(Ta),60W(Tj) I-Pak
型号:
NTD20N06L-001
仓库库存编号:
NTD20N06L-001OS-ND
别名:NTD20N06L-001OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Ta) 1.36W(Ta),60W(Tj) I-Pak
型号:
NTD20N06L-1G
仓库库存编号:
NTD20N06L-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 3.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7451
仓库库存编号:
IRF7451-ND
别名:*IRF7451
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 3.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7451TR
仓库库存编号:
IRF7451TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 990pF @ 25V,
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