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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 87A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），87A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17302Q5A
  仓库库存编号：296-25854-1-ND
  别名：296-25854-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4830CDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4830CDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4830CDY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2.5W（Ta），6.25W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5424DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5424DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5424DC-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 15V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 1W（Tc） TSMT3
  
  型号：RQ5E070BNTCL
  仓库库存编号：RQ5E070BNTCLCT-ND
  别名：RQ5E070BNTCLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 15V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：DI9435T
  仓库库存编号：DI9435CT-ND
  别名：DI9435
  DI9435CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 15V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：DI9435T
  仓库库存编号：981-DI9435T-CHP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4830CDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4830CDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4830CDY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 15A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），27W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ0506NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ0506NSATMA1CT-ND
  别名：BSZ0506NSATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA421DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA421DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA421DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 15V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.9A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：NDT454P
  仓库库存编号：NDT454PFSCT-ND
  别名：NDT454PFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2.5W（Ta），6.25W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5424DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5424DC-T1-E3TR-ND
  别名：SI5424DC-T1-E3TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4834CDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4834CDY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4834CDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4834CDY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta） 2.1W（Ta） PG-TDSON-8
  
  型号：BSZ0589NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ0589NSATMA1-ND
  别名：SP001586396
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 15V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：NDS9430A
  仓库库存编号：NDS9430A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4230DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4230DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.5A 2.5W Surface Mount 6-FlipFet?
  
  型号：IRF6156
  仓库库存编号：IRF6156-ND
  别名：*IRF6156
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 15V,
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