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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1018ETRPBF
  仓库库存编号：IRFR1018ETRPBFCT-ND
  别名：IRFR1018ETRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2290pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 79A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1018EPBF
  仓库库存编号：IRF1018EPBF-ND
  别名：SP001574502
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2290pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 79A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1018ESTRLPBF
  仓库库存编号：IRF1018ESTRLPBFCT-ND
  别名：IRF1018ESTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2290pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 79A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRF1018E
  仓库库存编号：AUIRF1018E-ND
  别名：SP001519520
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2290pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 79A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 79A（Tc） 110W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1018ESLPBF
  仓库库存编号：IRF1018ESLPBF-ND
  别名：SP001550908
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2290pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 56A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU1018EPBF
  仓库库存编号：IRFU1018EPBF-ND
  别名：SP001565188
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2290pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 79A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF1018ES
  仓库库存编号：AUIRF1018ES-ND
  别名：SP001517308
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2290pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 56A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR1018E
  仓库库存编号：AUIRFR1018E-ND
  别名：SP001522694
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2290pF @ 50V,
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