产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7854TRPBF
仓库库存编号:
IRF7854TRPBFCT-ND
别名:IRF7854TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 51A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ44ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRLZ44ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRLZ44ZSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 51A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRLZ44Z
仓库库存编号:
AUIRLZ44Z-ND
别名:SP001522994
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 48A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 60W(Tc) I-Pak
型号:
STU60N3LH5
仓库库存编号:
497-12697-5-ND
别名:497-12697-5
STU60N3LH5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ44ZPBF
仓库库存编号:
IRLZ44ZPBF-ND
别名:*IRLZ44ZPBF
SP001577132
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 23A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 23A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
MTP23P06V
仓库库存编号:
MTP23P06VOS-ND
别名:MTP23P06VOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 23A(Ta) 3W(Ta),90W(Tc) D2PAK
型号:
MTB23P06VT4
仓库库存编号:
MTB23P06VT4OS-ND
别名:MTB23P06VT4OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 23A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 23A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
MTP23P06VG
仓库库存编号:
MTP23P06VGOS-ND
别名:MTP23P06VGOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ44ZS
仓库库存编号:
IRLZ44ZS-ND
别名:*IRLZ44ZS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ44Z
仓库库存编号:
IRLZ44Z-ND
别名:*IRLZ44Z
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) TO-262
型号:
IRLZ44ZL
仓库库存编号:
IRLZ44ZL-ND
别名:*IRLZ44ZL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) TO-262
型号:
IRLZ44ZLPBF
仓库库存编号:
IRLZ44ZLPBF-ND
别名:*IRLZ44ZLPBF
SP001558596
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 136W(Tc) DPAK
型号:
PHD82NQ03LT,118
仓库库存编号:
PHD82NQ03LT,118-ND
别名:934057026118
PHD82NQ03LT /T3
PHD82NQ03LT /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V,
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