产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(32)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(1)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(31)
筛选品牌
Infineon Technologies (5)
Fairchild/ON Semiconductor (4)
ON Semiconductor (9)
Rohm Semiconductor (1)
Vishay Siliconix (13)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF720PBF
仓库库存编号：
IRF720PBF-ND
别名：*IRF720PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP170PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP170PH6327XTSA1CT-ND
别名：BSP170PH6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 490mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD320PBF
仓库库存编号：
IRFD320PBF-ND
别名：*IRFD320PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF720SPBF
仓库库存编号：
IRF720SPBF-ND
别名：*IRF720SPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG20N06S2L65AATMA1
仓库库存编号：
IPG20N06S2L65AATMA1CT-ND
别名：IPG20N06S2L65AATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRENCH 6 60V FET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C682NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C682NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C682NLT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 2.6A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI720GPBF
仓库库存编号：
IRFI720GPBF-ND
别名：*IRFI720GPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5W（Ta），28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C682NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C682NLT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），25A（Tc） 3.5W（Ta），28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C682NLAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C682NLAFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5W（Ta），28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C682NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C682NLT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），25A（Tc） 3.5W（Ta），28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C682NLAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C682NLAFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5W（Ta），28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C682NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C682NLWFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），25A（Tc） 3.5W（Ta），28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C682NLWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C682NLWFAFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5W（Ta），28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C682NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C682NLWFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），25A（Tc） 3.5W（Ta），28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C682NLWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C682NLWFAFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 5A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 250V 5A（Ta） 30W（Tc） TO-220FM
型号：
RCX050N25
仓库库存编号：
RCX050N25-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） TO-262-3
型号：
IRF720LPBF
仓库库存编号：
IRF720LPBF-ND
别名：*IRF720LPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF720STRRPBF
仓库库存编号：
IRF720STRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF720
仓库库存编号：
IRF720-ND
别名：*IRF720
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF720S
仓库库存编号：
IRF720S-ND
别名：*IRF720S
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 400V 490mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD320
仓库库存编号：
IRFD320-ND
别名：*IRFD320
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 400V 2.6A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI720G
仓库库存编号：
IRFI720G-ND
别名：*IRFI720G
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） I2PAK
型号：
IRF720L
仓库库存编号：
IRF720L-ND
别名：*IRF720L
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF720STRL
仓库库存编号：
IRF720STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF720STRR
仓库库存编号：
IRF720STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
含铅
搜索
1
2
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
