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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 9A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP9N15
  仓库库存编号：FQP9N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 6.9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 6.9A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N15
  仓库库存编号：FQPF9N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 9A（Tc） 3.75W（Ta），75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB9N15TM
  仓库库存编号：FQB9N15TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 9A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 9A（Tc） 3.75W（Ta），75W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI9N15TU
  仓库库存编号：FQI9N15TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP170PE6327
  仓库库存编号：BSP170PE6327INCT-ND
  别名：BSP170PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP170PE6327T
  仓库库存编号：BSP170PE6327XTINCT-ND
  别名：BSP170PE6327XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP170PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP170PL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP170PL6327
  BSP170PL6327INCT
  BSP170PL6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V,
• 无铅
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