产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 9.4A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) I-Pak
型号:
FQU11P06TU
仓库库存编号:
FQU11P06TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.4A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) D-Pak
型号:
FQD11P06TM
仓库库存编号:
FQD11P06TMCT-ND
别名:FQD11P06TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 11.4A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 11.4A(Tc) 53W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP11P06
仓库库存编号:
FQP11P06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7201TRPBF
仓库库存编号:
IRF7201PBFCT-ND
别名:*IRF7201TRPBF
IRF7201PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.4A(Tc) 3.13W(Ta),53W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB11P06TM
仓库库存编号:
FQB11P06TMCT-ND
别名:FQB11P06TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 8.6A(Tc) 30W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF11P06
仓库库存编号:
FQPF11P06FS-ND
别名:FQPF11P06-ND
FQPF11P06FS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 1.5A(Tc) 35W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF2N80
仓库库存编号:
FQPF2N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 6.3A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF630
仓库库存编号:
FQPF630-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 85W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2N80
仓库库存编号:
FQP2N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 1.5A(Tc) 35W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF2N80YDTU
仓库库存编号:
FQPF2N80YDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N80TM
仓库库存编号:
FQD2N80TMCT-ND
别名:FQD2N80TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 1.2W(Ta) SOT-89
型号:
CXDM1002N TR
仓库库存编号:
CXDM1002N CT-ND
别名:CXDM1002N CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Ta) 28.5W(Tc) TO-220FL
型号:
RJK5030DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJK5030DPP-M0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1N120P
仓库库存编号:
IXTP1N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 63W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA1N120P
仓库库存编号:
IXTA1N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9410TRPBF
仓库库存编号:
IRF9410PBFTR-ND
别名:IRF9410PBFTR
IRF9410TRPBF-ND
IRF9410TRPBFTR-ND
SP001551686
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) DPAK-3
型号:
NTD12N10T4
仓库库存编号:
NTD12N10T4OSCT-ND
别名:NTD12N10T4OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 13A(Ta) 64.7W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP13N10
仓库库存编号:
NTP13N10OS-ND
别名:NTP13N10OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Ta) 64.7W(Ta) D2PAK
型号:
NTB13N10T4G
仓库库存编号:
NTB13N10T4GOS-ND
别名:NTB13N10T4GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 13A(Ta) 64.7W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP13N10G
仓库库存编号:
NTP13N10GOS-ND
别名:NTP13N10GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7A(Tc) 2.5W(Ta),46W(Tc) D-Pak
型号:
FQD630TF
仓库库存编号:
FQD630TF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 78W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP630TSTU
仓库库存编号:
FQP630TSTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 78W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP630
仓库库存编号:
FQP630-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7A(Tc) 2.5W(Ta),46W(Tc) D-Pak
型号:
FQD630TM
仓库库存编号:
FQD630TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 9.4A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) D-Pak
型号:
FQD11P06TF
仓库库存编号:
FQD11P06TF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
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