产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 60V 11.4A(Tc) 3.13W(Ta),53W(Tc) I2PAK
型号:
FQI11P06TU
仓库库存编号:
FQI11P06TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3.13W(Ta),78W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB630TM
仓库库存编号:
FQB630TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.8A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N80TU
仓库库存编号:
FQU2N80TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N80TF
仓库库存编号:
FQD2N80TF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.4A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) I2PAK
型号:
FQI2N80TU
仓库库存编号:
FQI2N80TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 2.4A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2N80TM
仓库库存编号:
FQB2N80TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Ta) 64.7W(Ta) D2PAK
型号:
NTB13N10
仓库库存编号:
NTB13N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Ta) 64.7W(Ta) D2PAK
型号:
NTB13N10G
仓库库存编号:
NTB13N10G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) I-Pak
型号:
NTD12N10-1G
仓库库存编号:
NTD12N10-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
2SK3868(Q,M)
仓库库存编号:
2SK3868(Q,M)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) DPAK
型号:
NTD12N10T4G
仓库库存编号:
NTD12N10T4GOSCT-ND
别名:NTD12N10T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5A(Ta) 41.7W(Tc) MP-3A
型号:
RJK5030DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK5030DPD-00#J2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7201
仓库库存编号:
IRF7201-ND
别名:*IRF7201
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7201TR
仓库库存编号:
IRF7201TR-ND
别名:SP001564746
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9410
仓库库存编号:
IRF9410-ND
别名:*IRF9410
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9410TR
仓库库存编号:
IRF9410TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9410PBF
仓库库存编号:
IRF9410PBF-ND
别名:SP001575396
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.7A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP373 E6327
仓库库存编号:
BSP373 E6327-ND
别名:BSP373E6327T
SP000011121
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.7A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP373L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP373L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP373L6327INCT
BSP373L6327INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V,
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