以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD600N25N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD600N25N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD600N25N3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2350pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD320N20N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD320N20N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD320N20N3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2350pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC320N20NS3 G
  仓库库存编号：BSC320N20NS3 GCT-ND
  别名：BSC320N20NS3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2350pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC600N25NS3 G
  仓库库存编号：BSC600N25NS3 GCT-ND
  别名：BSC600N25NS3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2350pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB320N20N3 G
  仓库库存编号：IPB320N20N3 GCT-ND
  别名：IPB320N20N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2350pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP600N25N3 G
  仓库库存编号：IPP600N25N3 G-ND
  别名：IPP600N25N3G
  IPP600N25N3GXKSA1
  SP000677832
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2350pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP320N20N3 G
  仓库库存编号：IPP320N20N3 G-ND
  别名：IPP320N20N3G
  IPP320N20N3GXKSA1
  SP000677842
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2350pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 35.7W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF400N80ZL1
  仓库库存编号：FCPF400N80ZL1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2350pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 11A ZNR
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 35.7W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF400N80Z
  仓库库存编号：FCPF400N80Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2350pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB600N25N3 G
  仓库库存编号：IPB600N25N3 GCT-ND
  别名：IPB600N25N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2350pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI600N25N3GAKSA1
  仓库库存编号：IPI600N25N3GAKSA1-ND
  别名：IPI600N25N3 G
  IPI600N25N3 G-ND
  IPI600N25N3G
  SP000714316
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2350pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI320N20N3GAKSA1
  仓库库存编号：IPI320N20N3GAKSA1-ND
  别名：IPI320N20N3 G
  IPI320N20N3 G-ND
  IPI320N20N3G
  SP000714312
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2350pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD320N20N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD320N20N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD320N20N3 GCT
  IPD320N20N3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2350pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD600N25N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD600N25N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD600N25N3 GCT
  IPD600N25N3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2350pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索