产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF830PBF
仓库库存编号：
IRF830PBF-ND
别名：*IRF830PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD7N30TM
仓库库存编号：
FQD7N30TMCT-ND
别名：FQD7N30TMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI830GPBF
仓库库存编号：
IRFI830GPBF-ND
别名：*IRFI830GPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 74W（Tc）
型号：
IRF830STRLPBF
仓库库存编号：
IRF830STRLPBFCT-ND
别名：IRF830STRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） TO-262-3
型号：
IRF830LPBF
仓库库存编号：
IRF830LPBF-ND
别名：*IRF830LPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI830G
仓库库存编号：
IRFI830G-ND
别名：*IRFI830G
Q932707
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF830
仓库库存编号：
497-2732-5-ND
别名：497-2732-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF830
仓库库存编号：
IRF830IR-ND
别名：*IRF830
IRF830IR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF830S
仓库库存编号：
IRF830S-ND
别名：*IRF830S
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） I2PAK
型号：
IRF830L
仓库库存编号：
IRF830L-ND
别名：*IRF830L
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF830STRL
仓库库存编号：
IRF830STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF830STRR
仓库库存编号：
IRF830STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220-5
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220-5
型号：
IRC830PBF
仓库库存编号：
IRC830PBF-ND
别名：*IRC830PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 5.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD7N30TF
仓库库存编号：
FQD7N30TF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N50TM
仓库库存编号：
FQD5N50TM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 7A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB7N30TM
仓库库存编号：
FQB7N30TM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） I-Pak
型号：
FQU5N50TU
仓库库存编号：
FQU5N50TU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N50TF
仓库库存编号：
FQD5N50TF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB5N50TM
仓库库存编号：
FQB5N50TM-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 500V 3A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF5N50
仓库库存编号：
FQPF5N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.3A（Tc） 2.5W（Ta），41W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR420BTM
仓库库存编号：
IRFR420BTM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.8A（Tc） 3.3W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SQ1470EH-T1-GE3
仓库库存编号：
SQ1470EH-T1-GE3CT-ND
别名：SQ1470EH-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
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