产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8300pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN004-60B,118
仓库库存编号:
1727-5267-1-ND
别名:1727-5267-1
568-6592-1
568-6592-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8300pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 17A(Tc) 700W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX17N120L
仓库库存编号:
IXTX17N120L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8300pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 17A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 17A(Tc) 700W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK17N120L
仓库库存编号:
IXTK17N120L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8300pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 15A(Tc) 540W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN17N120L
仓库库存编号:
IXTN17N120L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8300pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN004-60P,127
仓库库存编号:
PSMN004-60P,127-ND
别名:934057040127
PSMN004-60P
PSMN004-60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8300pF @ 25V,
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