产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 980pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBG30PBF
仓库库存编号:
IRFBG30PBF-ND
别名:*IRFBG30PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 980pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S4L14ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S4L14ATMA1CT-ND
别名:IPD30N03S4L-14CT
IPD30N03S4L-14CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 980pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
STB45NF06T4
仓库库存编号:
497-10314-1-ND
别名:497-10314-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 980pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 38A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
STP45NF06
仓库库存编号:
497-3189-5-ND
别名:497-3189-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 980pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 3.1A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG30PBF
仓库库存编号:
IRFPG30PBF-ND
别名:*IRFPG30PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 980pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 50A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL50N6F7
仓库库存编号:
STL50N6F7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 980pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Tc) 31W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB22N03S4L15ATMA1
仓库库存编号:
IPB22N03S4L15ATMA1TR-ND
别名:IPB22N03S4L-15
IPB22N03S4L-15-ND
IPB22N03S4L-15INTR
IPB22N03S4L-15INTR-ND
SP000275308
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 980pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 38A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
STB45NF06
仓库库存编号:
497-5731-1-ND
别名:497-5731-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 980pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 3.1A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG30
仓库库存编号:
IRFPG30-ND
别名:*IRFPG30
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 980pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 3.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBG30
仓库库存编号:
IRFBG30-ND
别名:*IRFBG30
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 980pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 22A(Tc) 31W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI22N03S4L15AKSA1
仓库库存编号:
IPI22N03S4L15AKSA1-ND
别名:IPI22N03S4L-15
IPI22N03S4L-15-ND
SP000277016
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 980pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 22A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP22N03S4L15AKSA1
仓库库存编号:
IPP22N03S4L15AKSA1-ND
别名:IPP22N03S4L-15
IPP22N03S4L-15-ND
SP000275290
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 980pF @ 25V,
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