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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 120A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120N10-3M8_GE3
  仓库库存编号：SQM120N10-3M8_GE3TR-ND
  别名：SQM120N10-3M8_GE3TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7230pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 120A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120N10-3M8_GE3
  仓库库存编号：SQM120N10-3M8_GE3CT-ND
  别名：SQM120N10-3M8_GE3-ND
  SQM120N10-3M8_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7230pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 62A（Tc） 260W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2614
  仓库库存编号：FDB2614CT-ND
  别名：FDB2614CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7230pF @ 25V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 62A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 260W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP2614
  仓库库存编号：FDP2614FS-ND
  别名：FDP2614-ND
  FDP2614FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7230pF @ 25V,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-262-3
  
  型号：SQV120N10-3M8_GE3
  仓库库存编号：SQV120N10-3M8_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7230pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP120N10-3M8_GE3
  仓库库存编号：SQP120N10-3M8_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7230pF @ 25V,
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