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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2532
  仓库库存编号：FDB2532CT-ND
  别名：FDB2532CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5870pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 79A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2532_F085
  仓库库存编号：FDB2532_F085CT-ND
  别名：FDB2532_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5870pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP2532
  仓库库存编号：FDP2532-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5870pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 300V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 370W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT30M70BVRG
  仓库库存编号：APT30M70BVRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5870pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 300V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 48A（Tc） 370W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT30M70BVFRG
  仓库库存编号：APT30M70BVFRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5870pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 30A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 450W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS30N60KPBF
  仓库库存编号：IRFPS30N60KPBF-ND
  别名：*IRFPS30N60KPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5870pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI2532
  仓库库存编号：FDI2532-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5870pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 48A（Tc） 370W（Tc） D3 [S]
  
  型号：APT30M70SVRG
  仓库库存编号：APT30M70SVRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5870pF @ 25V,
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