产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(42)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(42)
筛选品牌
Infineon Technologies (2)
IXYS (13)
Fairchild/ON Semiconductor (5)
ON Semiconductor (9)
Renesas Electronics America (1)
STMicroelectronics (1)
Vishay Siliconix (11)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLIZ44GPBF
仓库库存编号:
IRLIZ44GPBF-ND
别名:*IRLIZ44GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 214W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA70N10
仓库库存编号:
FQA70N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70N03S4L-04
仓库库存编号:
IPD70N03S4L-04CT-ND
别名:IPD70N03S4L-04CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ44SPBF
仓库库存编号:
IRLZ44SPBF-ND
别名:*IRLZ44SPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ44PBF
仓库库存编号:
IRLZ44PBF-ND
别名:*IRLZ44PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 57A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 57A(Tc) 160W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP70N10
仓库库存编号:
FQP70N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
详细描述:通孔 N 沟道 1.4A(Tc) 960W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTX1R4N450HV
仓库库存编号:
IXTX1R4N450HV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
详细描述:通孔 N 沟道 1.4A(Tc) 190W(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXTF1R4N450
仓库库存编号:
IXTF1R4N450-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
不受无铅要求限制
搜索
ON Semiconductor
T6 40V MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta),185A(Tc) 3.8W(Ta), 106W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C430NT1G
仓库库存编号:
NTMFS5C430NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5C430NT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 35A(Tc) 62W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF70N10
仓库库存编号:
FQPF70N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.8W(Ta), 106W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 35A(Ta),185A(Tc) 3.8W(Ta), 106W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NAFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.8W(Ta), 106W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NWFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 35A(Ta),185A(Tc) 3.8W(Ta), 106W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NWFAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NWFAFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.8W(Ta), 106W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 35A(Ta),185A(Tc) 3.8W(Ta), 106W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NAFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8W(Ta), 106W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NWFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta),185A(Tc) 3.8W(Ta), 106W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NWFAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NWFAFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLIZ44G
仓库库存编号:
IRLIZ44G-ND
别名:*IRLIZ44G
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ44STRRPBF
仓库库存编号:
IRLZ44STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 74A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ74N20P
仓库库存编号:
IXTQ74N20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 74A(Tc) 480W(Tc) TO-268
型号:
IXTT74N20P
仓库库存编号:
IXTT74N20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 74A(Tc) 480W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH74N20P
仓库库存编号:
IXFH74N20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH20N60Q
仓库库存编号:
IXFH20N60Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 23A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH23N60Q
仓库库存编号:
IXFH23N60Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V,
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号