产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 65A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4227PBF
仓库库存编号:
IRFB4227PBF-ND
别名:SP001565892
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 62A(Tc) 330W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4227TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4227TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4227TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 46W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI4227PBF
仓库库存编号:
IRFI4227PBF-ND
别名:SP001564096
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 65A(Tc) 330W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4227PBF
仓库库存编号:
IRFP4227PBF-ND
别名:SP001560510
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH40N30
仓库库存编号:
IXTH40N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 330V 30A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Ta) 85W(Tc) TO-3P
型号:
FKP330C
仓库库存编号:
FKP330C-ND
别名:FKP330C DK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 460W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH16N80P
仓库库存编号:
IXFH16N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 460W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV16N80P
仓库库存编号:
IXFV16N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 460W(Tc) TO-268
型号:
IXFT16N80P
仓库库存编号:
IXFT16N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 200V 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH50N20
仓库库存编号:
IXTH50N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 200V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK80N20Q
仓库库存编号:
IXFK80N20Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 71A(Tc) 310W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR80N20Q
仓库库存编号:
IXFR80N20Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 75A(Tc) 310W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR80N15Q
仓库库存编号:
IXFR80N15Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 200V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH80N20Q
仓库库存编号:
IXFH80N20Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT80N20Q
仓库库存编号:
IXFT80N20Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 25A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC25N80C
仓库库存编号:
IXKC25N80C-ND
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MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC16N80P
仓库库存编号:
IXFC16N80P-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 16A(Tc) 460W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV16N80PS
仓库库存编号:
IXFV16N80PS-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 62A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 62A(Tc) 330W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4227PBF
仓库库存编号:
IRFSL4227PBF-ND
别名:SP001576148
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V,
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