产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW20N60C3
仓库库存编号:
SPW20N60C3IN-ND
别名:SP000013729
SPW20N60C3FKSA1
SPW20N60C3IN
SPW20N60C3XK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3415STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3415STRLPBFCT-ND
别名:IRF3415STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3415PBF
仓库库存编号:
IRF3415PBF-ND
别名:*IRF3415PBF
64-0006PBF
64-0006PBF-ND
SP001564438
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ48GPBF
仓库库存编号:
IRFIZ48GPBF-ND
别名:*IRFIZ48GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP20N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681058
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.7A(Tc) 34.5W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
SPA20N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA20N60C3XKSA1-ND
别名:SP000216354
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 208W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB21N50C3
仓库库存编号:
SPB21N50C3INCT-ND
别名:SPB21N50C3INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 200W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP3415PBF
仓库库存编号:
IRFP3415PBF-ND
别名:*IRFP3415PBF
SP001566972
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ48PBF
仓库库存编号:
IRFZ48PBF-ND
别名:*IRFZ48PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP048PBF
仓库库存编号:
IRFP048PBF-ND
别名:*IRFP048PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP21N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP21N50C3XKSA1-ND
别名:SP000681066
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW21N50C3
仓库库存编号:
SPW21N50C3IN-ND
别名:SP000014464
SPW21N50C3FKSA1
SPW21N50C3IN
SPW21N50C3X
SPW21N50C3XK
SPW21N50C3XTIN
SPW21N50C3XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP20N65C3XKSA1-ND
别名:SP000681064
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Ta) 50W(Tc) LPTS
型号:
RSJ450N04TL
仓库库存编号:
RSJ450N04TLCT-ND
别名:RSJ450N04TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2407TRPBF
仓库库存编号:
IRFR2407PBFCT-ND
别名:*IRFR2407TRPBF
IRFR2407PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 51A(Tc) 180W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76639S3ST
仓库库存编号:
HUF76639S3STFSCT-ND
别名:HUF76639S3STFSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 51A(Tc) 180W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76639S3ST_F085
仓库库存编号:
HUF76639S3ST_F085CT-ND
别名:HUF76639S3ST_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB20N60C3
仓库库存编号:
SPB20N60C3INCT-ND
别名:SPB20N60C3INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD40N10-25-E3
仓库库存编号:
SUD40N10-25-E3CT-ND
别名:SUD40N10-25-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 13A CPT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 850mW(Ta),20W(Tc) CPT3
型号:
RSD131P10TL
仓库库存编号:
RSD131P10TL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 150V W-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK1555DPA-00#J0
仓库库存编号:
RJK1555DPA-00#J0TR-ND
别名:RJK1555DPA-00#J0-ND
RJK1555DPA-00#J0TR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ48RPBF
仓库库存编号:
IRFZ48RPBF-ND
别名:*IRFZ48RPBF
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD40N10-25-T4-E3
仓库库存编号:
SUD40N10-25-T4-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 3.7W(Ta),190W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48SPBF
仓库库存编号:
IRFZ48SPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 190W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRFZ48RSPBF
仓库库存编号:
IRFZ48RSPBF-ND
别名:*IRFZ48RSPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
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