产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP048RPBF
仓库库存编号:
IRFP048RPBF-ND
别名:*IRFP048RPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC20N60C
仓库库存编号:
IXKC20N60C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 43A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF3415
仓库库存编号:
AUIRF3415-ND
别名:SP001516548
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 560V 21A(Tc) 34.5W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA21N50C3
仓库库存编号:
SPA21N50C3IN-ND
别名:SP000216364
SPA21N50C3IN
SPA21N50C3X
SPA21N50C3XK
SPA21N50C3XKSA1
SPA21N50C3XTIN
SPA21N50C3XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 560V 21A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI21N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI21N50C3XKSA1-ND
别名:SP000681012
SPI21N50C3
SPI21N50C3-ND
SPI21N50C3X
SPI21N50C3XK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI20N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI20N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681006
SPI20N60C3
SPI20N60C3-ND
SPI20N60C3IN
SPI20N60C3IN-ND
SPI20N60C3X
SPI20N60C3XK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPP20N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000681060
SPP20N60CFD
SPP20N60CFD-ND
SPP20N60CFDIN
SPP20N60CFDIN-ND
SPP20N60CFDX
SPP20N60CFDXK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20.7A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA20N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPA20N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000216361
SPA20N60CFD
SPA20N60CFD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 34.5W(Tc) PG-TO220-3
型号:
SPA20N65C3
仓库库存编号:
SPA20N65C3IN-ND
别名:SP000216362
SPA20N65C3IN
SPA20N65C3XK
SPA20N65C3XKSA1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW20N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW20N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000014535
SPW20N60CFD
SPW20N60CFD-ND
SPW20N60CFDIN
SPW20N60CFDIN-ND
SPW20N60CFDX
SPW20N60CFDXK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
STS12NF30L
仓库库存编号:
497-3223-1-ND
别名:497-3223-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 22A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 22A(Tc) 135W(Tc) D2PAK
型号:
STB22NS25ZT4
仓库库存编号:
STB22NS25ZT4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 22A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 250V 22A(Tc) 135W(Tc) TO-220AB
型号:
STP22NS25Z
仓库库存编号:
497-6740-5-ND
别名:497-6740-5
STP22NS25Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 150V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 150V 40A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
STP40NS15
仓库库存编号:
STP40NS15-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 37A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ48G
仓库库存编号:
IRFIZ48G-ND
别名:*IRFIZ48G
IRFIX48G
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ48R
仓库库存编号:
IRFZ48R-ND
别名:*IRFZ48R
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.7W(Ta),190W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFZ48L
仓库库存编号:
IRFZ48L-ND
别名:*IRFZ48L
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.7W(Ta),190W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48S
仓库库存编号:
IRFZ48S-ND
别名:*IRFZ48S
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.7W(Ta),190W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48STRL
仓库库存编号:
IRFZ48STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.7W(Ta),190W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48STRR
仓库库存编号:
IRFZ48STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 51A(Tc) 180W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76639S3S
仓库库存编号:
HUF76639S3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 51A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76639P3
仓库库存编号:
HUFA76639P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 51A(Tc) 180W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76639S3S
仓库库存编号:
HUFA76639S3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 51A(Tc) 180W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76639S3ST
仓库库存编号:
HUFA76639S3ST-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 3.75W(Ta),125W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM75N06-09L-E3
仓库库存编号:
SUM75N06-09L-E3CT-ND
别名:SUM75N06-09L-E3-ND
SUM75N06-09L-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
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