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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 76A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6076ENZ1C9
  仓库库存编号：R6076ENZ1C9-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6500pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  AUTO NCHANNEL 60V POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL225N6F7AG
  仓库库存编号：497-17551-1-ND
  别名：497-17551-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6500pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110N04-03P-E3
  仓库库存编号：SUM110N04-03P-E3TR-ND
  别名：SUM110N04-03P-E3-ND
  SUM110N04-03P-E3TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6500pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD90N06S405ATMA2
  仓库库存编号：IPD90N06S405ATMA2-ND
  别名：SP001028730
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6500pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S405ATMA2
  仓库库存编号：IPB80N06S405ATMA2-ND
  别名：SP001028718
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6500pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N06S405AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N06S405AKSA1-ND
  别名：IPI80N06S4-05
  IPI80N06S4-05-ND
  SP000415632
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6500pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S405AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N06S405AKSA1-ND
  别名：IPP80N06S4-05
  IPP80N06S4-05-ND
  SP000415704
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6500pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB80NE03L-06T4
  仓库库存编号：STB80NE03L-06T4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6500pF @ 25V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN005-55B,118
  仓库库存编号：PSMN005-55B,118-ND
  别名：934055637118
  PSMN005-55B /T3
  PSMN005-55B /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6500pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 43A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT5012JN
  仓库库存编号：APT5012JN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6500pF @ 25V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN005-55P,127
  仓库库存编号：PSMN005-55P,127-ND
  别名：934055638127
  PSMN005-55P
  PSMN005-55P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6500pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S405ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S405ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S4-05
  IPB80N06S4-05-ND
  SP000415566
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6500pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N06S405ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N06S405ATMA1TR-ND
  别名：IPD90N06S4-05
  IPD90N06S4-05-ND
  SP000481510
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6500pF @ 25V,
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