产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8700pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 61A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN64N50P
仓库库存编号:
IXFN64N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8700pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 24A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK24N100
仓库库存编号:
IXFK24N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8700pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK64N50P
仓库库存编号:
IXFK64N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8700pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 375W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA90N15_F109
仓库库存编号:
FQA90N15_F109-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8700pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX64N50P
仓库库存编号:
IXFX64N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8700pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 24A(Tc) 568W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN24N100
仓库库存编号:
IXFN24N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8700pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 375W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA90N15
仓库库存编号:
FQA90N15FS-ND
别名:FQA90N15-ND
FQA90N15FS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8700pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 35A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR64N50P
仓库库存编号:
IXFR64N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8700pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 24A(Tc) 568W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX24N100
仓库库存编号:
IXTX24N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8700pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 24A(Tc) 560W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX24N100
仓库库存编号:
IXFX24N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8700pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 22A(Tc) 416W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N100
仓库库存编号:
IXFR24N100-ND
别名:Q1157068B
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8700pF @ 25V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 36A 694W Chassis Mount SP4
型号:
APTM100A23STG
仓库库存编号:
APTM100A23STG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8700pF @ 25V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NE03L-06
仓库库存编号:
STP80NE03L-06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8700pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 90A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 90A(Tc) 375W(Tc) TO-247
型号:
FQH90N15
仓库库存编号:
FQH90N15-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8700pF @ 25V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 36A 694W Chassis Mount SP4
型号:
APTM100A23SCTG
仓库库存编号:
APTM100A23SCTG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8700pF @ 25V,
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