产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 280mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS138WH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS138WH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS138WH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 450mA(Ta) 100mW(Ta) SOT-883VL
型号:
CEDM7004VL TR
仓库库存编号:
CEDM7004VL CT-ND
别名:CEDM7004VL CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.78A(Ta) 100mW(Ta) SOT-883
型号:
CEDM7004 TR
仓库库存编号:
CEDM7004 CT-ND
别名:CEDM7004 CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 480mA(Ta) 350mW(Ta) DFN1006-3
型号:
PMZ1000UN,315
仓库库存编号:
1727-5860-1-ND
别名:1727-5860-1
568-7439-1
568-7439-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.78A(Tc) 2.5W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ390UN,315
仓库库存编号:
1727-5861-1-ND
别名:1727-5861-1
568-7442-1
568-7442-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS138WH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSS138WH6433XTMA1-ND
别名:SP000917558
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 350mA(Tc) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
2N7000
仓库库存编号:
497-3110-ND
别名:497-3110
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Tc) 350mW(Tc) SOT-23-3
型号:
2N7002
仓库库存编号:
497-3111-1-ND
别名:497-3111-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 830MA SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 830mA(Ta) 560mW(Tc) SOT-323-3
型号:
PMF400UN,115
仓库库存编号:
568-3244-1-ND
别名:568-3244-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 710mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP
型号:
PMGD400UN,115
仓库库存编号:
568-2368-1-ND
别名:568-2368-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 0.8A SOT416
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 800mA(Tc) 530mW(Tc) SC-75
型号:
PMR400UN,115
仓库库存编号:
568-7438-1-ND
别名:568-7438-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS138W E6433
仓库库存编号:
BSS138W E6433-ND
别名:BSS138WE6433
SP000014284
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS138W E6327
仓库库存编号:
BSS138WE6327INCT-ND
别名:BSS138WE6327
BSS138WE6327INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS138W L6327
仓库库存编号:
BSS138W L6327-ND
别名:SP000245411
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS138W L6433
仓库库存编号:
BSS138W L6433-ND
别名:SP000245412
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V,
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