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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN60R3K4CEATMA1
  仓库库存编号：IPN60R3K4CEATMA1CT-ND
  别名：IPN60R3K4CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 93pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 18.1W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R3K3C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R3K3C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R3K3C6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 93pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 2.6A（Tc） 29W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R3K4CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R3K4CEAUMA1-ND
  别名：SP001422856
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 93pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.7A（Tc） 18.1W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R3K3C6
  仓库库存编号：IPD60R3K3C6CT-ND
  别名：IPD60R3K3C6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 93pF @ 100V,
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