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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），80A（Tc） 2.8W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC046N02KS G
  仓库库存编号：BSC046N02KS GCT-ND
  别名：BSC046N02KS GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4100pF @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 45V 7A SOP8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSH070P05TB1
  仓库库存编号：RSH070P05TB1CT-ND
  别名：RSH070P05TB1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4100pF @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 45V 7A SOP8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 45V 7A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSH070P05GZETB
  仓库库存编号：RSH070P05GZETBCT-ND
  别名：RSH070P05GZETBCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4100pF @ 10V,
• 无铅
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 45V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS070P05FU6TB
  仓库库存编号：RSS070P05FU6TBCT-ND
  别名：RSS070P05FU6TBCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4100pF @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 35A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0652DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0652DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0652DPB-00#J5-ND
  RJK0652DPB-00#J5TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4100pF @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH3230S,115
  仓库库存编号：1727-3122-1-ND
  别名：1727-3122-1
  568-2345-1
  568-2345-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4100pF @ 10V,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 85A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJK0629DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJK0629DPE-00#J3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4100pF @ 10V,
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