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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.7A（Ta） 80W（Tc） DPAK
  
  型号：TK10P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK10P60WRVQCT-ND
  别名：TK10P60WRVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 9.3A（Ta） 80W（Tc） DPAK
  
  型号：TK9P65W,RQ
  仓库库存编号：TK9P65WRQCT-ND
  别名：TK9P65WRQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Ta） 100W（Tc） TO-220
  
  型号：TK10E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK10E60WS1VX-ND
  别名：TK10E60W,S1VX(S
  TK10E60WS1VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 9.3A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK9A65W,S5X
  仓库库存编号：TK9A65WS5X-ND
  别名：TK9A65W,S5X(M
  TK9A65WS5X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Ta） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：TK7E80W,S1X
  仓库库存编号：TK7E80WS1X-ND
  别名：TK7E80W,S1X(S
  TK7E80WS1X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.7A（Ta） 88.3W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK10V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK10V60WLVQCT-ND
  别名：TK10V60WLVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Ta） 80W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK10Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK10Q60WS1VQ-ND
  别名：TK10Q60W,S1VQ(S
  TK10Q60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK10A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK10A60WS4VX-ND
  别名：TK10A60W,S4VX(M
  TK10A60WS4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 300V,
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