产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1010pF @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3K123TU,LF
仓库库存编号:
SSM3K123TULFCT-ND
别名:SSM3K123TU(T5LT)CT
SSM3K123TU(T5LT)CT-ND
SSM3K123TU(TE85L)CT
SSM3K123TU(TE85L)CT-ND
SSM3K123TULFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1010pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 8A 19.8W, 21.9W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7980DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7980DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7980DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1010pF @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 500mW(Ta) 9-DSBGA
型号:
CSD25202W15T
仓库库存编号:
296-37964-1-ND
别名:296-37964-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1010pF @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.6A(Ta) 1.7W(Ta) 9-BGA(1.5x1.6)
型号:
FDZ291P
仓库库存编号:
FDZ291PCT-ND
别名:FDZ291PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1010pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 8A 19.8W, 21.9W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7980DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7980DP-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1010pF @ 10V,
无铅
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