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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R250CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R250CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R250CP
  IPP60R250CPAKSA1
  IPP60R250CPIN
  IPP60R250CPIN-ND
  IPP60R250CPXK
  SP000358136
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 18.3A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（SH）
  
  型号：SIE836DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE836DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE836DF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 100V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 18.3A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（SH）
  
  型号：SIE836DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE836DF-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R250CPATMA1
  仓库库存编号：IPB60R250CPATMA1TR-ND
  别名：IPB60R250CP
  IPB60R250CP-ND
  SP000358140
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R250CPAKSA1
  仓库库存编号：IPI60R250CPAKSA1-ND
  别名：IPI60R250CP
  IPI60R250CP-ND
  SP000358141
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R250CP
  仓库库存编号：IPW60R250CP-ND
  别名：IPW60R250CPFKSA1
  SP000310511
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 100V,
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