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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 95A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP1405PBF
  仓库库存编号：IRFP1405PBF-ND
  别名：*IRFP1405PBF
  64-6010PBF
  64-6010PBF-ND
  SP001572614
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 46A 357W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM50HM75STG
  仓库库存编号：APTM50HM75STG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V SOT78
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN3R9-60PSQ
  仓库库存编号：1727-1133-ND
  别名：1727-1133
  568-10288-5
  568-10288-5-ND
  934067464127
  PSMN3R9-60PSQ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 43.5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 43.5A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA44N30
  仓库库存编号：FQA44N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1407PBF
  仓库库存编号：IRF1407PBF-ND
  别名：*IRF1407PBF
  SP001564238
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1407STRLPBF
  仓库库存编号：IRF1407STRLPBFCT-ND
  别名：IRF1407STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 40 V 21 MOHM TYP. 120
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 235W（Tc） TO-220
  
  型号：STP260N4F7
  仓库库存编号：497-17320-ND
  别名：497-17320
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL285N4F7AG
  仓库库存编号：STL285N4F7AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 46A 357W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM50HM75FT3G
  仓库库存编号：APTM50HM75FT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 46A 357W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM50HM75FTG
  仓库库存编号：APTM50HM75FTG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 95A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
  
  型号：AUIRFP1405
  仓库库存编号：AUIRFP1405-ND
  别名：SP001515966
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 35A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 35A（Tc） 310W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA35N40
  仓库库存编号：FQA35N40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA28N50F
  仓库库存编号：FQA28N50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA28N50
  仓库库存编号：FQA28N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 500V 46A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 500V 46A 357W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM50DHM75TG
  仓库库存编号：APTM50DHM75TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA28N50_F109
  仓库库存编号：FQA28N50_F109-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 115A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 115A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N04-05L-E3
  仓库库存编号：SUD50N04-05L-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 60A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 60A（Tc） 1.8W（Ta），88W（Tc） TO-263
  
  型号：NP60N055KUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP60N055KUG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1407L
  仓库库存编号：IRF1407L-ND
  别名：*IRF1407L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1407S
  仓库库存编号：IRF1407S-ND
  别名：*IRF1407S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1407STRR
  仓库库存编号：IRF1407STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 95A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP1405
  仓库库存编号：IRFP1405-ND
  别名：*IRFP1405
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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