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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB100NF03L-03-1
  仓库库存编号：497-15805-5-ND
  别名：497-15805-5
  STB100NF03L-03-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6200pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 312W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP190N55LF3
  仓库库存编号：497-8810-5-ND
  别名：497-8810-5
  STP190N55LF3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6200pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 234W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK762R9-40E,118
  仓库库存编号：1727-7251-1-ND
  别名：1727-7251-1
  568-9880-1
  568-9880-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6200pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB100NF03L-03T4
  仓库库存编号：497-7929-1-ND
  别名：497-7929-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6200pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 234W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E3R1-40E,127
  仓库库存编号：1727-7244-ND
  别名：1727-7244
  568-9852-5
  568-9852-5-ND
  934066417127
  BUK7E3R140E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6200pF @ 25V,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 40V 85A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
  
  型号：EKI04027
  仓库库存编号：EKI04027-ND
  别名：EKI04027 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6200pF @ 25V,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 40V 85A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI04024
  仓库库存编号：SKI04024CT-ND
  别名：SKI04024CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6200pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 234W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK753R1-40E,127
  仓库库存编号：1727-7236-ND
  别名：1727-7236
  568-9841-5
  568-9841-5-ND
  934066424127
  BUK753R140E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6200pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 22A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT12057B2LLG
  仓库库存编号：APT12057B2LLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6200pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 60A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP60NE06-16
  仓库库存编号：497-2770-5-ND
  别名：497-2770-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6200pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 17A（Tc） 460W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT12067JLL
  仓库库存编号：APT12067JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6200pF @ 25V,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 19A（Tc） 520W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT12057JLL
  仓库库存编号：APT12057JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6200pF @ 25V,
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