产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 1.6W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3433CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3433CDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3433CDV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-Micro Foot?
型号:
SI8499DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8499DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8499DB-T2-E1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.4W(Ta),17.9W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA461DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA461DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA461DJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 700mW(Ta) 6-WEMT
型号:
RW1C025ZPT2CR
仓库库存编号:
RW1C025ZPT2CRCT-ND
别名:RW1C025ZPT2CRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3433CDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3433CDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3433CDV-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5A TSST8
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 1.25W(Ta) 8-TSST
型号:
RT1E050RPTR
仓库库存编号:
RT1E050RPCT-ND
别名:RT1E050RPTRCT
RT1E050RPTRCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 700mW(Ta) TSMT8
型号:
RQ1E050RPTR
仓库库存编号:
RQ1E050RPCT-ND
别名:RQ1E050RPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 14.1A 14-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 14.1A, 20A 3W, 5.4W Surface Mount 14-SOIC
型号:
SI4340CDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4340CDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4340CDY-T1-E3CT
SI4340CDYT1E3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSH110N03TB1
仓库库存编号:
RSH110N03TB1CT-ND
别名:RSH110N03TB1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 22V 49A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Tc) 6.5W(Ta),39.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N024-09P-E3
仓库库存编号:
SUD50N024-09P-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 16A 2.36W, 2.8W Surface Mount 6-PowerPair?
型号:
SIZ700DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ700DT-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS110N03FU6TB
仓库库存编号:
RSS110N03FU6TB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS110N03TB
仓库库存编号:
RSS110N03TBCT-ND
别名:RSS110N03TBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6A(Ta) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK2544(F)
仓库库存编号:
2SK2544(F)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 700mW(Ta),22W(Tc) 8-TSON
型号:
TPCC8003-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCC8003-H(TE12LQMCT-ND
别名:TPCC8003-H(TE12LQMCT
TPCC8003HTE12LQM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.5W(Ta),39.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N02-09P-E3
仓库库存编号:
SUD50N02-09P-E3CT-ND
别名:SUD50N02-09P-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
UPA1764G-E2-AZ
仓库库存编号:
UPA1764G-E2-AZ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 20A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 20A(Ta) 39.5W(Tc) TO-252
型号:
SUD50N02-09P-GE3
仓库库存编号:
SUD50N02-09P-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 10V,
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