产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10000pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 90A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 560W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX90N30
仓库库存编号:
IXFX90N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 44A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N80
仓库库存编号:
IXFN44N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 570W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR80N50Q3
仓库库存编号:
IXFR80N50Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK80N50Q3
仓库库存编号:
IXFK80N50Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 63A(Tc) 780W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN80N50Q3
仓库库存编号:
IXFN80N50Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 75A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 75A(Tc) 417W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR90N30
仓库库存编号:
IXFR90N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 90A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 90A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK90N30
仓库库存编号:
IXFK90N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 80A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX80N50Q3
仓库库存编号:
IXFX80N50Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 700W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL60N60
仓库库存编号:
IXFL60N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10000pF @ 25V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 72A(Tc) 1136W(Tc) SOT-227
型号:
VS-FA72SA50LC
仓库库存编号:
VS-FA72SA50LC-ND
别名:VSFA72SA50LC
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 90A(Tc) 560W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN90N30
仓库库存编号:
IXFN90N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 44A(Tc) 550W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL44N80
仓库库存编号:
IXFL44N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10000pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NE06-10
仓库库存编号:
497-2778-5-ND
别名:497-2778-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10000pF @ 25V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 120A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 30V 120A(Tc) 350W(Tc) TO-247-3
型号:
STW200NF03
仓库库存编号:
STW200NF03-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10000pF @ 25V,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 500V 57A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 57A(Tc) 625W(Tc) SOT-227B
型号:
FA57SA50LC
仓库库存编号:
FA57SA50LC-ND
别名:*FA57SA50LC
VS-FA57SA50LC
VS-FA57SA50LC-ND
VSFA57SA50LC
VSFA57SA50LC-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10000pF @ 25V,
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