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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.8A（Ta） 240W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK31V60X,LQ
  仓库库存编号：TK31V60XLQCT-ND
  别名：TK31V60XLQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 75A（Tc） 560W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXKN75N60C
  仓库库存编号：IXKN75N60C-ND
  别名：498718
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK7P60W5,RVQ
  仓库库存编号：TK7P60W5RVQCT-ND
  别名：TK7P60W5RVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 61.8A（Ta） 400W（Tc） TO-247
  
  型号：TK62N60X,S1F
  仓库库存编号：TK62N60XS1F-ND
  别名：TK62N60X,S1F(S
  TK62N60XS1F
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 75A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 595W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：FCH023N65S3_F155
  仓库库存编号：FCH023N65S3_F155-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 797W（Tc） TO-3P（L）
  
  型号：TK100L60W,VQ
  仓库库存编号：TK100L60WVQ-ND
  别名：TK100L60W,VQ(O
  TK100L60WVQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN60R3K4CEATMA1
  仓库库存编号：IPN60R3K4CEATMA1CT-ND
  别名：IPN60R3K4CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.7A（Ta） 80W（Tc） DPAK
  
  型号：TK10P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK10P60WRVQCT-ND
  别名：TK10P60WRVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-220
  
  型号：TK31E60X,S1X
  仓库库存编号：TK31E60XS1X-ND
  别名：TK31E60X,S1X(S
  TK31E60XS1X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-247
  
  型号：TK31N60X,S1F
  仓库库存编号：TK31N60XS1F-ND
  别名：TK31N60X,S1F(S
  TK31N60XS1F
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 38.8A（Ta） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：TK39N60X,S1F
  仓库库存编号：TK39N60XS1F-ND
  别名：TK39N60X,S1F(S
  TK39N60XS1F
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 38.8A（Ta） 270W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK39J60W5,S1VQ
  仓库库存编号：TK39J60W5S1VQ-ND
  别名：TK39J60W5,S1VQ(O
  TK39J60W5S1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH70N60C5
  仓库库存编号：IXKH70N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 95A（Tc） 833W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT94N65B2C6
  仓库库存编号：APT94N65B2C6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） TO-252
  
  型号：IPD80R1K4P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K4P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K4P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 700V 5.4A TO251
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Tc） 53W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPS70R1K4CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS70R1K4CEAKMA1-ND
  别名：SP001467042
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 700V 7.4A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 7.4A（Tc） 68W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPS70R950CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS70R950CEAKMA1-ND
  别名：SP001467044
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 1.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.5A（Tc） 13W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R4K5P7AKMA1
  仓库库存编号：IPU80R4K5P7AKMA1-ND
  别名：SP001422748
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7.2A（Tc） 68W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R1K0CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R1K0CEXKSA1-ND
  别名：SP001429758
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 73W（Tc） TO-252
  
  型号：IPD80R450P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R450P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R450P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK5P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK5P60WRVQCT-ND
  别名：TK5P60WRVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK16A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK16A60WS4VX-ND
  别名：TK16A60W,S4VX(M
  TK16A60WS4VX
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 101W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP80R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP80R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001422724
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：IPA80R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001422552
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 101W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IPW80R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW80R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001422758
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 功能 超级结,
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