产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 36A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 36A(Tc) 1.2W(Ta),56W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP36P06SLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP36P06SLG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 55A(Tc) 1.2W(Ta),77W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP55N055SUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP55N055SUG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 16A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 450V 16A TO-220SIS
型号:
TK16A45D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK16A45D(STA4QM)-ND
别名:TK16A45D(STA4QM)
TK16A45DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) TO-220-3
型号:
TK50E06K3A,S1X(S
仓库库存编号:
TK50E06K3AS1X(S-ND
别名:TK50E06K3AS1X(S
TK50E06K3AS1XS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
型号:
TK50E06K3(S1SS-Q)
仓库库存编号:
TK50E06K3(S1SS-Q)-ND
别名:TK50E06K3S1SSQ
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 75V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 50A(Tc) TO-220-3
型号:
TK50E08K3,S1X(S
仓库库存编号:
TK50E08K3S1X(S-ND
别名:TK50E08K3S1X(S
TK50E08K3S1XS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
详细描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
型号:
TK50E10K3(S1SS-Q)
仓库库存编号:
TK50E10K3(S1SS-Q)-ND
别名:TK50E10K3S1SSQ
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 20V 20A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 20A(Tc) 1W(Ta),36W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
2SJ687-ZK-E1-AY
仓库库存编号:
2SJ687-ZK-E1-AYCT-ND
别名:2SJ687-ZK-E1-AYCT
2SJ687ZKE1AY
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.5W(Ta),213W(Tc) TO-263
型号:
2SK3811-ZP-E1-AY
仓库库存编号:
2SK3811-ZP-E1-AYCT-ND
别名:2SK3811-ZP-E1-AYCT
2SK3811ZPE1AY
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 82A(Tc) 1.5W(Ta),104W(Tc) TO-263
型号:
2SK3943-ZP-E1-AY
仓库库存编号:
2SK3943-ZP-E1-AYCT-ND
别名:2SK3943-ZP-E1-AYCT
2SK3943ZPE1AY
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Ta) 65W(Tc) LFPAK
型号:
RJK03C1DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK03C1DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK03C1DPB-00#J5CT
RJK03C1DPB00J5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 45A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0452DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0452DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK0452DPB-00#J5CT
RJK0452DPB00J5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 40A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0454DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0454DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK0454DPB-00#J5CT
RJK0454DPB00J5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0654DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0654DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK0654DPB-00#J5CT
RJK0654DPB00J5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 30A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0852DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0852DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK0852DPB-00#J5CT
RJK0852DPB00J5
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 25A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0854DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0854DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK0854DPB-00#J5CT
RJK0854DPB00J5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 25A(Ta) 65W(Tc) LFPAK
型号:
RJK1053DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK1053DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK1053DPB-00#J5CT
RJK1053DPB00J5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Ta) 60W(Tc) LFPAK
型号:
RJK1055DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK1055DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK1055DPB-00#J5CT
RJK1055DPB00J5
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V W-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 20A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK2055DPA-00#J0
仓库库存编号:
RJK2055DPA-00#J0CT-ND
别名:RJK2055DPA-00#J0CT
RJK2055DPA00J0
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 0.4A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 400mA(Ta) 27.2W(Tc) MP-3A
型号:
RJK6024DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK6024DPD-00#J2CT-ND
别名:RJK6024DPD-00#J2CT
RJK6024DPD00J2
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 26A SMP-FD
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 26A(Ta) 1.65W(Ta),50W(Tc) SMP-FD
型号:
2SK3820-DL-E
仓库库存编号:
2SK3820-DL-E-ND
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4A MCPH3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4A(Ta) 1W(Ta) SC-70FL/MCPH3
型号:
MCH3474-TL-E
仓库库存编号:
MCH3474-TL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 23A(Ta) 2.5W(Ta),220W(Tc) TO-3PB
型号:
WPB4002
仓库库存编号:
WPB4002-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 330V 34A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 330V TO-220-3
型号:
FDP34N33
仓库库存编号:
FDP34N33-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 8V 1.3A SC88
详细描述:Mosfet Array
型号:
NSTJD1155LT1G
仓库库存编号:
NSTJD1155LT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -,
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