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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R450E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R450E6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R450E6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 280μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9.1A（Tc） 30W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R460CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R460CEXKSA1-ND
  别名：SP001276042
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 280μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R450E6
  仓库库存编号：IPP60R450E6-ND
  别名：IPP60R450E6XKSA1
  SP000842486
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 280μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R450E6
  仓库库存编号：IPD60R450E6CT-ND
  别名：IPD60R450E6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 280μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 84W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R360P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R360P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R360P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 280μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R360P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R360P7XKSA1-ND
  别名：SP001633514
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 280μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 84W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP80R360P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP80R360P7XKSA1-ND
  别名：SP001633518
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 280μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 84W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW80R360P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW80R360P7XKSA1-ND
  别名：SP001633520
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 280μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.1A（Tc） 74W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R460CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R460CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R460CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 280μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 30W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R450E6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R450E6XKSA1-ND
  别名：IPA60R450E6
  IPA60R450E6-ND
  SP000842484
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 280μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 13A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN80R360P7XKSA1
  仓库库存编号：IPAN80R360P7XKSA1-ND
  别名：SP001702158
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 280μA,
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