以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK560P60Y,RQ
  仓库库存编号：TK560P60YRQCT-ND
  别名：TK560P60YRQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 240μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK560P65Y,RQ
  仓库库存编号：TK560P65YRQCT-ND
  别名：TK560P65YRQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 240μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R225C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R225C7ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R225C7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 240μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 67W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL65R230C7AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R230C7AUMA1CT-ND
  别名：IPL65R230C7AUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 240μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_100+
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB100N12S305ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N12S305ATMA1CT-ND
  别名：IPB100N12S305ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 240μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R225C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R225C7XKSA1-ND
  别名：SP000929432
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 240μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 30W TO-220SIS
  
  型号：TK560A60Y,S4X
  仓库库存编号：TK560A60YS4X-ND
  别名：TK560A60Y,S4X(S
  TK560A60YS4X
  TK560A60YS4X(S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 240μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 30W TO-220SIS
  
  型号：TK560A65Y,S4X
  仓库库存编号：TK560A65YS4X-ND
  别名：TK560A65Y,S4X(S
  TK560A65YS4X
  TK560A65YS4X(S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 240μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R225C7ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R225C7ATMA1CT-ND
  别名：IPD65R225C7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 240μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N10S305AKSA1
  仓库库存编号：IPP100N10S305AKSA1-ND
  别名：IPP100N10S3-05
  IPP100N10S3-05-ND
  IPP100N10S305
  SP000407126
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 240μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA65R225C7XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R225C7XKSA1-ND
  别名：SP001080144
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 240μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N10S3-05
  仓库库存编号：IPB100N10S305ATMA1CT-ND
  别名：IPB100N10S3-05CT
  IPB100N10S3-05CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 240μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI100N10S305AKSA1
  仓库库存编号：IPI100N10S305AKSA1-ND
  别名：IPI100N10S3-05
  IPI100N10S3-05-ND
  SP000407128
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 240μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S08ATMA1
  仓库库存编号：SPB80N06S08ATMA1TR-ND
  别名：SP000054056
  SP000084808
  SPB80N06S-08
  SPB80N06S-08-ND
  SPB80N06S08
  SPB80N06S08T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 240μA,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N06S-08
  仓库库存编号：SPI80N06S-08-ND
  别名：SP000054055
  SP000084809
  SPI80N06S08
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 240μA,
• 含铅
• 搜索