产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4455
仓库库存编号:
AO4455-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7726DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7726DN-T1-GE3TR-ND
别名:SI7726DN-T1-GE3TR
SI7726DNT1GE3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 17A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4423
仓库库存编号:
785-1288-1-ND
别名:785-1288-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.2A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4668DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4668DY-T1-GE3TR-ND
别名:SI4668DY-T1-GE3TR
SI4668DYT1GE3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.2A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4668DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4668DY-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7634BDP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7634BDP-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4890BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4890BDY-T1-GE3TR-ND
别名:SI4890BDY-T1-GE3TR
SI4890BDYT1GE3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4890BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4890BDY-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24.5A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4634DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4634DY-T1-GE3TR-ND
别名:SI4634DY-T1-GE3TR
SI4634DYT1GE3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24.5A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4634DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4634DY-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 48A(Tc) 89W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR871DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR871DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7170DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7170DP-T1-GE3TR-ND
别名:SI7170DP-T1-GE3TR
SI7170DPT1GE3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4632DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4632DY-T1-E3TR-ND
别名:SI4632DY-T1-E3TR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4632DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4632DY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7194DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7194DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7194DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V SC70-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 540mA, 420mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
型号:
SI1539DL-T1-E3
仓库库存编号:
SI1539DL-T1-E3CT-ND
别名:SI1539DL-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Tc) 3.1W(Ta),5.4W(Tc) 8-SO
型号:
SI4396DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4396DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4396DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
AO4619
仓库库存编号:
785-1044-1-ND
别名:785-1044-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 85A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),85A(Tc) 2.08W(Ta),100W(Tc) UltraSO-8?
型号:
AOL1418
仓库库存编号:
785-1121-1-ND
别名:785-1121-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 3W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4170DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4170DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4170DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 33A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 9A(Ta),33A(Tc) 3.1W(Ta),42W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7444
仓库库存编号:
785-1234-1-ND
别名:785-1234-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V SC70-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 540mA, 420mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
型号:
SI1539DL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1539DL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1539DL-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 36A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4438DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4438DY-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 36A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4438DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4438DY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),54A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD518
仓库库存编号:
785-1359-1-ND
别名:785-1359-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA,
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