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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZVN3310FTA
  仓库库存编号：ZVN3310FCT-ND
  别名：BST82
  ZVN3310F
  ZVN3310FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 400V 0.125A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 125mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：TP2540N8-G
  仓库库存编号：TP2540N8-GCT-ND
  别名：TP2540N8-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Microchip Technology
  MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
  详细描述：Mosfet Array 6 N and 6 P-Channel 200V Surface Mount 56-QFN (8x8)
  
  型号：TC8020K6-G
  仓库库存编号：TC8020K6-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN2106N3-G
  仓库库存编号：VN2106N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0104N3-G
  仓库库存编号：VN0104N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN2106A
  仓库库存编号：ZVN2106A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN2110A
  仓库库存编号：ZVN2110A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN3306A
  仓库库存编号：ZVN3306A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN3310A
  仓库库存编号：ZVN3310A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 320mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TP0606N3-G
  仓库库存编号：TP0606N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 960mW（Ta）, 170W（Tc） 8-DSOP Advance
  
  型号：TPW1R005PL,L1Q
  仓库库存编号：TPW1R005PLL1QCT-ND
  别名：TPW1R005PLL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4210A
  仓库库存编号：ZVN4210A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 86mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2535N3-G
  仓库库存编号：TP2535N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tj） 360mW（Tc） SOT-23-3
  
  型号：VN2110K1-G
  仓库库存编号：VN2110K1-GCT-ND
  别名：VN2110K1-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0109N3-G
  仓库库存编号：VN0109N3-G-ND
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZVN3306FTA
  仓库库存编号：ZVN3306FCT-ND
  别名：ZVN3306F
  ZVN3306FCT
  
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 60V 0.12A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120mA（Tj） 360mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：TP0610T-G
  仓库库存编号：TP0610T-GCT-ND
  别名：TP0610T-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 85mA（Tj） 360mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：TP5335K1-G
  仓库库存编号：TP5335K1-GCT-ND
  别名：TP5335K1-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN4210GTA
  仓库库存编号：ZVN4210GCT-ND
  别名：ZVN4210GCT
  ZVN4210GTA-ND
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 45V 150A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 960mW（Ta）, 170W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH1R005PL,L1Q
  仓库库存编号：TPH1R005PLL1QCT-ND
  别名：TPH1R005PLL1QCT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 1W（Ta），170W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPHR8504PL,L1Q
  仓库库存编号：TPHR8504PLL1QCT-ND
  别名：TPHR8504PLL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 1W（Ta），170W（Tc） 8-DSOP Advance
  
  型号：TPWR8004PL,L1Q
  仓库库存编号：TPWR8004PLL1QCT-ND
  别名：TPWR8004PLL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0106N3-G
  仓库库存编号：VN0106N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 430mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP0604N3-G
  仓库库存编号：TP0604N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 175mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP0620N3-G
  仓库库存编号：TP0620N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 1mA,
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