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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2316DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2316DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2316DS-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4890DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4890DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4890DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2316DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2316DS-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4808DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4808DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4808DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4808DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4890DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4890DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3424DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3424DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3424DV-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3424DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3424DV-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.3A, 7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4818DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4818DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.3A, 7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4818DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4818DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA（最小）,
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  MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.5A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4886DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4886DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA（最小）,
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  MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.5A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4886DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4886DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.8A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4892DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4892DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.8A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4892DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4892DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA（最小）,
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  MOSFET N-CH 30V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 7.5W（Ta），62.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N03-11-E3
  仓库库存编号：SUD50N03-11-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA（最小）,
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