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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 73W（Tc） TO-252
  
  型号：IPD80R450P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R450P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R450P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 220μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 73W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP80R450P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP80R450P7XKSA1-ND
  别名：SP001422730
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 220μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 29W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：IPA80R450P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R450P7XKSA1-ND
  别名：SP001422558
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 220μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN80R450P7XKSA1
  仓库库存编号：IPAN80R450P7XKSA1-ND
  别名：SP001632932
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 220μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R600CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R600CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R600CP
  IPA60R600CP-ND
  SP000405884
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 220μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R600CPAKSA1
  仓库库存编号：IPI60R600CPAKSA1-ND
  别名：IPI60R600CP
  IPI60R600CP-ND
  SP000405896
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 220μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R600CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R600CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R600CP
  IPP60R600CP-ND
  SP000405888
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 220μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R600CPATMA1
  仓库库存编号：IPB60R600CPATMA1CT-ND
  别名：IPB60R600CPCT
  IPB60R600CPCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 220μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600CPBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R600CPBTMA1CT-ND
  别名：IPD60R600CPCT
  IPD60R600CPCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 220μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600CPATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600CPATMA1-ND
  别名：SP000680642
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 220μA,
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