产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 11μA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(3)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(3)
筛选品牌
Infineon Technologies (3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD220N06L3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD220N06L3GBTMA1CT-ND
别名:IPD220N06L3GBTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 11μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP230N06L3 G
仓库库存编号:
IPP230N06L3 G-ND
别名:IPP230N06L3G
IPP230N06L3GXKSA1
SP000453648
SP000680886
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 11μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB230N06L3GATMA1
仓库库存编号:
IPB230N06L3GATMA1CT-ND
别名:IPB230N06L3 GCT
IPB230N06L3 GCT-ND
IPB230N06L3G
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 11μA,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号