产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 2mA,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 220mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
TN2640N3-G
仓库库存编号:
TN2640N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 2mA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 260mA(Tj) 1.3W(Ta) 8-SOIC
型号:
TN2640LG-G
仓库库存编号:
TN2640LG-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 2mA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 500MA 3DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Tj) 2.5W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
TN2640K4-G
仓库库存编号:
TN2640K4-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 2mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB47N10SL-26
仓库库存编号:
IPB47N10SL26ATMA1CT-ND
别名:IPB47N10SL-26CT
IPB47N10SL-26CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 2mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI47N10SL26AKSA1
仓库库存编号:
IPI47N10SL26AKSA1-ND
别名:IPI47N10SL-26
IPI47N10SL-26-ND
SP000225704
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 2mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N10SL16ATMA1
仓库库存编号:
IPB70N10SL16ATMA1TR-ND
别名:IPB70N10SL-16
IPB70N10SL-16-ND
SP000225700
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 2mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N10SL16AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N10SL16AKSA1-ND
别名:IPI70N10SL-16
IPI70N10SL-16-ND
SP000225705
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 2mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N10SL16AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N10SL16AKSA1-ND
别名:IPP70N10SL-16
IPP70N10SL-16-ND
SP000225708
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 2mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB47N10L
仓库库存编号:
SPB47N10L-ND
别名:SP000012078
SPB47N10LT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 2mA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB70N10L
仓库库存编号:
SPB70N10L-ND
别名:SP000012079
SPB70N10LT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 2mA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N10L
仓库库存编号:
SPB80N10L-ND
别名:SP000014350
SPB80N10LT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 2mA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI47N10L
仓库库存编号:
SPI47N10L-ND
别名:SP000013952
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 2mA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI70N10L
仓库库存编号:
SPI70N10L-ND
别名:SP000014005
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 2mA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N10L
仓库库存编号:
SPI80N10L-ND
别名:SP000014351
SPI80N10LX
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 2mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP47N10L
仓库库存编号:
SPP47N10L-ND
别名:SP000012102
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 2mA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP70N10L
仓库库存编号:
SPP70N10LIN-ND
别名:SP000012103
SPP70N10L-ND
SPP70N10LIN
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含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N10L
仓库库存编号:
SPP80N10L-ND
别名:SP000014349
SPP80N10LX
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N10L G
仓库库存编号:
SPB80N10LGINCT-ND
别名:SPB80N10LG
SPB80N10LGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 2mA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP47N10SL26AKSA1
仓库库存编号:
IPP47N10SL26AKSA1-ND
别名:IPP47N10SL-26
IPP47N10SL-26-ND
IPP47N10SL26
SP000225707
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 2mA,
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