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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10.3A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R400CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R400CEXKSA1-ND
  别名：SP001276040
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 300μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7.8A（Ta） 80W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK8Q65W,S1Q
  仓库库存编号：TK8Q65WS1Q-ND
  别名：TK8Q65W,S1Q(S
  TK8Q65WS1Q
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 300μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7.8A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A65W,S5X
  仓库库存编号：TK8A65WS5X-ND
  别名：TK8A65W,S5X(M
  TK8A65WS5X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 300μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Tc） 83W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R400CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R400CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R400CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 300μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.1A（Tc） 83W（Tc） Thin-Pak（8x8）
  
  型号：IPL65R420E6AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R420E6AUMA1-ND
  别名：SP000895214
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 300μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380E6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R380E6BTMA1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 300μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380E6ATMA2
  仓库库存编号：IPD60R380E6ATMA2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 300μA,
• 不适用
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