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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY1R4N60P
  仓库库存编号：IXTY1R4N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 25μA,
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  MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 1.6A（Tc） 43W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY1R6N50P
  仓库库存编号：IXTY1R6N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 25μA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 55W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY2R4N50P
  仓库库存编号：IXTY2R4N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 25μA,
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  MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1R4N60P
  仓库库存编号：IXTP1R4N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 25μA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 55W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP2R4N50P
  仓库库存编号：IXTP2R4N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 25μA,
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  MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 50W（Tc） TO-251
  
  型号：IXTU1R4N60P
  仓库库存编号：IXTU1R4N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 25μA,
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  MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 1.6A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1R6N50P
  仓库库存编号：IXTP1R6N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 25μA,
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