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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-247
  
  型号：TK31N60W,S1VF
  仓库库存编号：TK31N60WS1VF-ND
  别名：TK31N60W,S1VF(S
  TK31N60WS1VF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 1.5mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK31J60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK31J60WS1VQ-ND
  别名：TK31J60W,S1VQ(O
  TK31J60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 1.5mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.8A（Ta） 240W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK31V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK31V60WLVQCT-ND
  别名：TK31V60WLVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 1.5mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-220
  
  型号：TK31E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK31E60WS1VX-ND
  别名：TK31E60W,S1VX(S
  TK31E60WS1VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 1.5mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK31A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK31A60WS4VX-ND
  别名：TK31A60W,S4VX(M
  TK31A60WS4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 1.5mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK31J60W5,S1VQ
  仓库库存编号：TK31J60W5S1VQ-ND
  别名：TK31J60W5,S1VQ(O
  TK31J60W5S1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 1.5mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK16A60W5,S4VX
  仓库库存编号：TK16A60W5S4VX-ND
  别名：TK16A60W5S4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 1.5mA,
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