以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU02N60C3BKMA1
  仓库库存编号：SPU02N60C3BKMA1-ND
  别名：Q67040S4659
  SP000015064
  SPU02N60C3
  SPU02N60C3-ND
  SPU02N60C3X
  SPU02N60C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 80μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP02N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP02N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000013523
  SPP02N60C3
  SPP02N60C3IN
  SPP02N60C3IN-ND
  SPP02N60C3X
  SPP02N60C3XK
  SPP02N60C3XTIN
  SPP02N60C3XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 80μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB02N60C3ATMA1
  仓库库存编号：SPB02N60C3ATMA1TR-ND
  别名：SP000013516
  SPB02N60C3
  SPB02N60C3INTR
  SPB02N60C3INTR-ND
  SPB02N60C3XT
  SPB02N60C3XT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 80μA,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N50C3
  仓库库存编号：SPD02N50C3INTR-ND
  别名：SP000014476
  SPD02N50C3INTR
  SPD02N50C3XT
  SPD02N50C3XT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 80μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD02N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD02N60C3INCT
  SPD02N60C3INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 80μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：SPN02N60C3
  仓库库存编号：SPN02N60C3-ND
  别名：SP000101878
  SPN02N60C3XT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 80μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：SPN02N60C3 E6433
  仓库库存编号：SPN02N60C3 E6433-ND
  别名：SP000101883
  SPN02N60C3E6433XT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 80μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPS02N60C3
  仓库库存编号：SPS02N60C3-ND
  别名：SP000235878
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 80μA,
• 无铅
• 搜索