产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.4V @ 250μA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(11)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(11)
筛选品牌
Vishay Siliconix (11)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7322DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7322DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7322DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 8.3W(Ta),83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD35N10-26P-GE3
仓库库存编号:
SUD35N10-26P-GE3CT-ND
别名:SUD35N10-26P-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 8.3W(Ta),83W(Tc) TO-252
型号:
SUD35N10-26P-E3
仓库库存编号:
SUD35N10-26P-E3CT-ND
别名:SUD35N10-26P-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 10A(Tc) 107W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD10N30-330H_GE3
仓库库存编号:
SQD10N30-330H_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.4V @ 250μA,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 18A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7322DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7322DN-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 8.3W(Ta),83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD35N10-26P-T4GE3
仓库库存编号:
SUD35N10-26P-T4GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE876DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE876DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE876DF-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE854DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE854DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE854DF-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE816DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE816DF-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE816DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE816DF-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE854DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE854DF-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.4V @ 250μA,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号